Quantum Well : quand la Flash perd la mémoire
Nombre de scientifiques se demandent si la technologie Flash supportera la réduction des composants au-delà des 65 nanomètres prévus pour 2006. Une incertitude qui pousse AMD à se pencher sur une technologie prometteuse, Quantum Well, qui devrait offrir des performances supérieures à la Flash actuelle sans augmenter les coûts de fabrication.
La technologie Flash, qui équipe les mémoires de nos appareils photo numériques, lecteurs MP3, assistants personnels et autre téléphones mobiles, pourrait atteindre ses limites d’ici quelques années. Actuellement gravées en 130 nanomètres (nm), les cellules Flash qui conservent la charge électrique devraient rapidement passer en 90 nm, puis 65 nm vers 2006, avant d’évoluer vers la génération 45 nm à la fin de la décennie. Sauf que certains chercheurs se demandent si les composants conserveront leur stabilité sous les 65 nm, la miniaturisation induisant une plus grande déperdition d’énergie.
C’est notamment le cas de Craig Sander, responsable du développement des technologies chez AMD, qui à l’occasion de l’International Electron Devices Meeting de San Francisco (du 9 au 11 décembre 2002), a présenté une nouvelle technologie de mémoire Flash. Intitulée Quantum Well, elle reposera sur de minuscules fils conducteurs d’environ 5 nm où serait stockée la charge électrique en lieu et place de cellules d’aluminium ou de cuivre. Au final, la mémoire Quantum Well serait plus performante et consommerait moins que la Flash actuelle. Surtout, elle serait productible selon les méthodes industrielles en cours. Ainsi, elle ne sera pas plus chère à fabriquer que la mémoire Flash conventionnelle, avec de meilleures performances à la clé. Rappelons que la mémoire Flash permet d’écrire, de lire et de stocker des informations sans avoir recours, comme pour la mémoire vive, à une source d’énergie continue.
Des candidats à la succession
Quantum Well n’est pas la seule technologie d’avenir pour la mémoire Flash. Deuxième producteur de composants Flash après Intel, AMD travaille également sur la technologie de mémoire à base de polymères ferroélectriques (PFRAM). D’autres technologies sont également en cours de développement comme la NanoMem, qui stocke les données dans des cylindres de taille moléculaire (voir édition du 2 juillet 2002). Ou encore, la mémoire à base de perovskite, un matériau chimique résistant aux flux électriques (voir édition du 17 avril 2002).
Bref, la mémoire Flash telle qu’on la connaît aujourd’hui à travers les CompactFlash, SmartMedia et autres Memory Stick, a encore quelques années devant elle, mais elle devrait rapidement trouver un digne successeur.